Cristin-resultat-ID: 1026971
Sist endret: 14. juni 2013 11:20
NVI-rapporteringsår: 2013
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2013

Characterization of the OSF-band structure in n-type Cz-Si using photoluminescence-imaging and visual inspection

Bidragsytere:
  • Rune Søndenå
  • Yu Hu
  • Mari Juel
  • Marie Syre Wiig og
  • Hallvard Angelskår

Tidsskrift

Journal of Crystal Growth
ISSN 0022-0248
e-ISSN 1873-5002
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2013
Volum: 367
Sider: 68 - 72

Importkilder

Isi-ID: 000315200500012

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Characterization of the OSF-band structure in n-type Cz-Si using photoluminescence-imaging and visual inspection

Sammendrag

Oxygen induced stacking faults (OSFs) are mainly seen in oxygen rich wafers from the seed end of Cz-silicon crystals. In wafers this ring shaped OSF-region delineates a border between two defect regions; usually silicon self-interstitials dominate outside and vacancies inside this ring. High temperature treatment (>800 °C) leads to oxygen precipitation in the border region. These precipitates act as nucleation sites for stacking faults. The standard procedure for characterizing the OSF-rings is to expose an oxidized sample to a preferential etchant, e.g. the highly toxic Wright solution. In this work photoluminescence-imaging is compared to preferential etching and visual inspection. Vertical samples from an n-type Cz-crystal containing an OSF-boundary are studied before and after wet oxidation. High resolution PL-images, which allow for a close inspection of the OSF-area, reveal a complex band-structure of this border region.

Bidragsytere

Rune Søndenå

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk

Yu Hu

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Mari Juel

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS

Marie Syre Wiig

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk

Hallvard Angelskår

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk
1 - 5 av 5