Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1271468
Sist endret:
24. september 2015, 19:53
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2009
SHEAR STRESS IN CRYSTALLINE SILICON FROM AB INITIO CALCULATIONS
Ole Martin Løvvik
og
Mohammed M'hamdi
Presentasjon
Presentasjon
Navn på arrangementet: 3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells
Sted: Trondheim, Norway
Dato fra:
3. juni 2009
Dato til:
5. juni 2009
Arrangør:
Arrangørnavn: SINTEF/NTNU
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2009
Importkilder
Importkilder
SINTEF AS-ID: S11799
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
SHEAR STRESS IN CRYSTALLINE SILICON FROM AB INITIO CALCULATIONS
Sammendrag
Atomistic modelling was in this study used to investigate the relationship between shear stress and strain in mono-crystalline silicon, which is related to the origin of dislocations. The focus was on the {111} slip plane, which is a well-known source of dislocations in Si. In addition to the stress-strain relationship, we have identified breaking of bonds and changes in the electronic structure at different strain levels. The methodology is based on state-of-the-art band-structure calculations within density functional theory.
Vis
fullstendig beskrivelse
Bidragsytere
Bidragsytere
Ole Martin Løvvik
Forfatter
ved Materialer og nanoteknologi ved SINTEF AS
Mohammed M'Hamdi
Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Mohammed M'hamdi
Forfatter
ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS
1
-
2
av
2