Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1272004
Sist endret:
24. september 2015, 20:14
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2009
CONSTITUTIVE MODELLING OF SILICON: PARAMETERS IDENTIFICATION OF CLASSICAL MODELS USING CRYSTAL PLASTICITY
Sylvain Gouttebroze
og
Mohammed M'hamdi
Presentasjon
Presentasjon
Navn på arrangementet: 3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells
Sted: Trondheim
Dato fra:
3. juni 2009
Dato til:
5. juni 2009
Arrangør:
Arrangørnavn: SINTEF/NTNU
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2009
Importkilder
Importkilder
SINTEF AS-ID: S14036
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
CONSTITUTIVE MODELLING OF SILICON: PARAMETERS IDENTIFICATION OF CLASSICAL MODELS USING CRYSTAL PLASTICITY
Sammendrag
Constitutive models for the yield region of silicon crystals available in the literature are based on results from uniaxial deformation tests of monocrystals oriented for single glide. We analyse in the present work their performance at various temperatures and identify their respective parameters. A crystal plasticity framework is implemented into an explicit Finite Element package in this respect. Analytical laws giving the constitutive parameters as functions of temperature are suggested. They improve significantly the accuracy of the models even beyond the lower yield point. The case of real crystals having dislocation sources on the secondary systems reveals a shortcoming of the classical models. A new one is proposed that corrects the discrepancy.
Vis
fullstendig beskrivelse
Bidragsytere
Bidragsytere
Sylvain Gouttebroze
Forfatter
ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS
Mohammed M'Hamdi
Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Mohammed M'hamdi
Forfatter
ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS
1
-
2
av
2