Cristin-resultat-ID: 1737256
Sist endret: 12. november 2019 08:41
NVI-rapporteringsår: 2019
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2019

Evidence of defect band mechanism responsible for band gap evolution in (ZnO)1−x(GaN)x alloys

Bidragsytere:
  • Vegard Skiftestad Olsen
  • Gustavo Baldissera
  • Christian Zimmermann
  • Cecilie Skjold Granerød
  • Kalliopi Bazioti
  • Augustinas Galeckas
  • mfl.

Tidsskrift

Physical review B (PRB)
ISSN 2469-9950
e-ISSN 2469-9969
NVI-nivå 2

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2019
Volum: 100
Hefte: 16
Artikkelnummer: 165201

Finansiering

  • Norges forskningsråd
    Prosjektkode: 197405
  • Norges forskningsråd
    Prosjektkode: 239895
  • Norges forskningsråd
    Prosjektkode: 243642
  • Norges forskningsråd
    Prosjektkode: 245963
  • Norges forskningsråd
    Prosjektkode: 251131
  • Notur/NorStore
    Prosjektkode: NN9136K

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Evidence of defect band mechanism responsible for band gap evolution in (ZnO)1−x(GaN)x alloys

Bidragsytere

Vegard Skiftestad Olsen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

Gustavo Baldissera

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Kungliga Tekniska högskolan

Christian Zimmermann

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo

Cecilie Skjold Granerød

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

Kalliopi Bazioti

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
1 - 5 av 11 | Neste | Siste »