Cristin-resultat-ID: 1826644
Sist endret: 14. januar 2021 13:41
NVI-rapporteringsår: 2020
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2020

Improved SiC MOSFET SPICE model to avoid convergence errors

Bidragsytere:
  • Håvard Lefdal Hove
  • Ole Christian Spro
  • Giuseppe Guidi og
  • Dimosthenis Peftitsis

Tidsskrift

Materials Science Forum
ISSN 0255-5476
e-ISSN 1662-9752
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2020
Publisert online: 2020
Trykket: 2020
Volum: 1004
Sider: 856 - 864

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Improved SiC MOSFET SPICE model to avoid convergence errors

Sammendrag

This paper presents improvements to a SPICE model for a commercially available SiC MOSFET to avoid convergence errors while still providing reliable simulation results. Functionality in the internal part of the model that shapes the transconductance of the device according to its junction temperature and gate-source voltage dependency has been improved to provide a continuous characteristic rather than the initial discontinuous performance. Furthermore, the output characteristics from the initial and the proposed model have been compared to lab measurements of an actual device. The results show that the proposed and initial model provide equally reliable simulation results. However, the proposed model does not run into convergence problems.

Bidragsytere

Håvard Lefdal Hove

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elkraftteknikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Ole Christian Spro

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elkraftteknikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Giuseppe Guidi

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Energisystemer ved SINTEF Energi AS

Dimosthenis Peftitsis

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elkraftteknikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 4 av 4