Cristin-resultat-ID: 1924557
Sist endret: 16. september 2021, 19:41
Resultat
Poster
2021

Defect-annealing in Si+-implanted β-Ga2O3

Bidragsytere:
  • Snorre Braathen Kjeldby
  • Alexander Azarov
  • Thomas Aarholt
  • Øystein Prytz og
  • Lasse Vines

Presentasjon

Navn på arrangementet: 31st International Conference on Defects in Semiconductors
Sted: Oslo
Dato fra: 26. juli 2021
Dato til: 30. juli 2021

Om resultatet

Poster
Publiseringsår: 2021

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Defect-annealing in Si+-implanted β-Ga2O3

Bidragsytere

Snorre Braathen Kjeldby

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for Materialvitenskap og Nanoteknologi fysikk ved Universitetet i Oslo

Alexander Azarov

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

Thomas Aarholt

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for Materialvitenskap og Nanoteknologi fysikk ved Universitetet i Oslo

Øystein Prytz

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Strukturfysikk ved Universitetet i Oslo

Lasse Vines

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo
1 - 5 av 5