Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
2029985
Sist endret:
25. januar 2023, 15:46
NVI-rapporteringsår:
2022
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2022
Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide
Snorre Braathen Kjeldby
Alexander Azarov
Phuong Dan Nguyen
Vishnukanthan Venkatachalapathy
R. Mikšová
A. MacKová
mfl.
Tidsskrift
Tidsskrift
Journal of Applied Physics
ISSN 0021-8979
e-ISSN 1089-7550
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2022
Volum: 131
Hefte: 12
Artikkelnummer: 125701
Open Access
Lenker
Lenker
original online (doi)
https://doi.org/10.1063/5.0083858
Institusjonsarkiv
hdl.handle.net/10852/100966
Importkilder
Importkilder
Scopus-ID: 2-s2.0-85127357239
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide
Bidragsytere
Bidragsytere
Snorre Braathen Kjeldby
Forfatter
ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
Forfatter
ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
Alexander Azarov
Forfatter
ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
Forfatter
ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
Phuong Dan Nguyen
Forfatter
ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
Forfatter
ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
Vishnukanthan Venkatachalapathy
Forfatter
ved National Research Nuclear University "MEPHI"
Forfatter
ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
Forfatter
ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
R. Mikšová
Forfatter
ved Akademie ved Ceské Republiky
1
-
5
av
9
|
Neste
|
Siste »