Cristin-resultat-ID: 2029985
Sist endret: 25. januar 2023, 15:46
NVI-rapporteringsår: 2022
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2022

Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide

Bidragsytere:
  • Snorre Braathen Kjeldby
  • Alexander Azarov
  • Phuong Dan Nguyen
  • Vishnukanthan Venkatachalapathy
  • R. Mikšová
  • A. MacKová
  • mfl.

Tidsskrift

Journal of Applied Physics
ISSN 0021-8979
e-ISSN 1089-7550
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2022
Volum: 131
Hefte: 12
Artikkelnummer: 125701
Open Access

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85127357239

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Radiation-induced defect accumulation and annealing in Si-implanted gallium oxide

Bidragsytere

Snorre Braathen Kjeldby

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

Alexander Azarov

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Phuong Dan Nguyen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Vishnukanthan Venkatachalapathy

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved National Research Nuclear University "MEPHI"
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

R. Mikšová

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Akademie ved Ceské Republiky
1 - 5 av 9 | Neste | Siste »