Cristin-resultat-ID: 1122252
Sist endret: 26. november 2014, 15:53
NVI-rapporteringsår: 2014
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2014

Investigation of Carrier Recombination at the SiO2/c-Si Interface by Photoluminescence Imaging Under Applied Bias

Bidragsytere:
  • Halvard Haug
  • Ørnulf Nordseth
  • Edouard Monakhov og
  • Erik Stensrud Marstein

Tidsskrift

IEEE Journal of Photovoltaics
ISSN 2156-3381
e-ISSN 2156-3403
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2014
Volum: 4
Hefte: 1
Sider: 374 - 379
Open Access

Lenker

original online (doi)

Institusjonsarkiv

hdl.handle.net/11250/285085

Importkilder

Isi-ID: 000329038800057
Scopus-ID: 2-s2.0-84891559818

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Investigation of Carrier Recombination at the SiO2/c-Si Interface by Photoluminescence Imaging Under Applied Bias

Bidragsytere

Halvard Haug

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Ørnulf Nordseth

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk

Eduard Monakhov

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Edouard Monakhov
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Erik Stensrud Marstein

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk
1 - 4 av 4