Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1273702
Sist endret:
24. september 2015, 21:27
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2002
Modelling of charging effects caused by anodic bonding in packed MOS devices
Kari Schjølberg-Henriksen
Tidsskrift
Tidsskrift
Electronics Letters
ISSN 0013-5194
e-ISSN 1350-911X
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2002
Volum: 38
Hefte: 24
Sider: 1596 - 1597
Open Access
Importkilder
Importkilder
SINTEF AS-ID: S4039
Beskrivelse
Beskrivelse
Norsk
Tittel
Modelling of charging effects caused by anodic bonding in packed MOS devices
Sammendrag
The electrical effects of anodic bonding on the gate oxide of packaged MOS devices are presented, and shown to be dependent both on the gate oxide fabrication process and on the design of the glass cavity. Methods to incorporate these effects in the device models to ensure reliable circuit simulations for the wafer-level packaged devices are proposed.
Vis
fullstendig beskrivelse
Bidragsytere
Bidragsytere
Kari Schjølberg-Henriksen
Forfatter
ved Smart Sensors and Microsystems ved SINTEF AS
1
-
1
av
1