Cristin-resultat-ID: 1355833
Sist endret: 21. februar 2017, 17:13
NVI-rapporteringsår: 2016
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2016

Vertically Oriented Growth of GaN Nanorods on Si Using Graphene as an Atomically Thin Buffer Layer

Bidragsytere:
  • Martin Heilmann
  • Abdul Mazid Munshi
  • George Sarau
  • Manuela Göbelt
  • Christian Tessarek
  • Vidar Tonaas Fauske
  • mfl.

Tidsskrift

Nano Letters
ISSN 1530-6984
e-ISSN 1530-6992
NVI-nivå 2
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2016
Publisert online: 2016
Trykket: 2016
Volum: 16
Hefte: 6
Sider: 3524 - 3532

Lenker

original online (doi)

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-84974793173

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Vertically Oriented Growth of GaN Nanorods on Si Using Graphene as an Atomically Thin Buffer Layer

Bidragsytere

Martin Heilmann

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Max-Planck-Gesellschaft

Abdul Mazid Munshi

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Diverse norske bedrifter og organisasjoner

George Sarau

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Helmholtz-Zentrum Berlin
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Max-Planck-Gesellschaft

Manuela Göbelt

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Max-Planck-Gesellschaft

Christian Tessarek

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Helmholtz-Zentrum Berlin
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Max-Planck-Gesellschaft
1 - 5 av 13 | Neste | Siste »