Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1373541
Sist endret:
17. august 2016, 14:35
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2016
Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling process
Satoshi Nakano
Bing Gao
og
Koichi Kakimoto
Presentasjon
Presentasjon
Navn på arrangementet: the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
Dato fra:
7. august 2016
Dato til:
12. august 2016
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2016
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling process
Bidragsytere
Bidragsytere
Satoshi Nakano
Forfatter
Bing Gao
Forfatter
ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS
Koichi Kakimoto
Forfatter
1
-
3
av
3