Cristin-resultat-ID: 1373541
Sist endret: 17. august 2016, 14:35
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2016

Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling process

Bidragsytere:
  • Satoshi Nakano
  • Bing Gao og
  • Koichi Kakimoto

Presentasjon

Navn på arrangementet: the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
Dato fra: 7. august 2016
Dato til: 12. august 2016

Om resultatet

Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2016

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling process

Bidragsytere

Satoshi Nakano

  • Tilknyttet:
    Forfatter
Aktiv cristin-person

Bing Gao

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS

Koichi Kakimoto

  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 3 av 3