Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1374593
Sist endret:
16. februar 2017, 15:55
NVI-rapporteringsår:
2016
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2016
Grain boundary effect on lifetime in high performance multicrystalline silicon during solar cell processing
Krzysztof Adamczyk
Rune Søndenå
Mohammed M'hamdi
Antoine Autruffe
Gaute Stokkan
og
Marisa Di Sabatino
Tidsskrift
Tidsskrift
Physica Status Solidi. C, Current topics in solid state physics
ISSN 1610-1634
e-ISSN 1610-1642
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret
Om resultatet
Om resultatet
Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2016
Publisert online: 2016
Volum: 13
Hefte: 10-12
Sider: 812 - 815
Open Access
Lenker
Lenker
original online (doi)
https://doi.org/10.1002/pssc.201600059
Institusjonsarkiv
hdl.handle.net/11250/2453584
Importkilder
Importkilder
Scopus-ID: 2-s2.0-84992161311
Scopus-ID: 2-s2.0-85053361632
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
Grain boundary effect on lifetime in high performance multicrystalline silicon during solar cell processing
Sammendrag
High performance multicrystalline silicon wafers used in solar cell processing have been investigated with focus on quantification of the grain boundary effect on lifetime. The lifetime of a set of 16 wafers from different positions along the ingot and after different process steps – phosphorus gettering, SiNx:H layer deposition and firing – is measured by µPCD and compared with microstructural information from EBSD. This allows for analysis of the behaviour of grain boundaries and their influence on lifetime during solar cell processing. The minority carrier lifetime of HPMC-Si wafers is not increased after the gettering step, but even reduced for some samples. It is shown that the lifetime in areas close to grain boundaries is reduced during the gettering step and this has a stronger effect on the average value than the improvement within the grains. Only wafers after both gettering and hydrogenation show an overall improvement in carrier lifetimes. However, in the regions close to the bottom of the ingot, wafers show lifetime degradation after the hydrogenation process. The results are used to obtain quantitative information on recombination velocity of grain boundaries.
Vis
fullstendig beskrivelse
Bidragsytere
Bidragsytere
Krzysztof Jan Adamczyk
Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Krzysztof Adamczyk
Forfatter
ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Rune Søndenå
Forfatter
ved Solenergi ved Institutt for energiteknikk
Mohammed M'Hamdi
Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Mohammed M'hamdi
Forfatter
ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Forfatter
ved Metallproduksjon og prosessering ved SINTEF AS
Antoine Autruffe
Forfatter
ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Gaute Stokkan
Forfatter
ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS
1
-
5
av
6
|
Neste
|
Siste »