Cristin-resultat-ID: 1375258
Sist endret: 27. oktober 2016, 21:33
Resultat
Faglig foredrag
2016

Measured Linearity Improvement of 10 W GaN HEMT PA with Dynamic Gate Biasing Technique for Flat Transfer Phase

Bidragsytere:
  • Dragan Gecan
  • Morten Olavsbråten og
  • Karl Martin Gjertsen

Presentasjon

Navn på arrangementet: IMS
Sted: San Francisco
Dato fra: 22. juli 2016
Dato til: 27. juli 2016

Arrangør:

Arrangørnavn: IEEE

Om resultatet

Faglig foredrag
Publiseringsår: 2016

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Measured Linearity Improvement of 10 W GaN HEMT PA with Dynamic Gate Biasing Technique for Flat Transfer Phase

Bidragsytere

Dragan Gecan

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Morten Olavsbråten

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Karl Martin Gjertsen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 3 av 3