Cristin-resultat-ID: 1398826
Sist endret: 28. november 2016, 14:05
NVI-rapporteringsår: 2016
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2016

Improving the short circuit ruggedness of IGBTs

Bidragsytere:
  • Lukas Tinschert
  • Magnar Hernes og
  • Josef Lutz

Tidsskrift

Microelectronics and reliability
ISSN 0026-2714
e-ISSN 1872-941X
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2016
Publisert online: 2016
Trykket: 2016
Volum: 64
Sider: 519 - 523

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-84991705133

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Improving the short circuit ruggedness of IGBTs

Sammendrag

The demands on reliable and fault tolerant power electronic devices are increasing. One opportunity to increase the IGBT short circuit ruggedness is to modify the thermal capacitance and the thermal resistance close to the chip and hence extend the possible short circuit duration. Therefore simulations with different metallization, bond wire and chip interconnect materials are compared to identify the most promising solution for enhancing short circuit capability of IGBTs. © 2016 Elsevier Ltd

Bidragsytere

Lukas Tinschert

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Technische Universität Chemnitz

Magnar Hernes

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Energisystemer ved SINTEF Energi AS

Josef Lutz

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Technische Universität Chemnitz
1 - 3 av 3