Cristin-resultat-ID: 1399345
Sist endret: 10. november 2016, 20:30
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2016

Investigation of the Gate Bias Voltage Influence on Linearity Performance of the ET and AET 10 W GaN HEMT PAs

Bidragsytere:
  • Dragan Gecan
  • Morten Olavsbråten og
  • Karl M. Gjertsen

Presentasjon

Navn på arrangementet: 24th Telecommunications forum TELFOR
Dato fra: 22. november 2016
Dato til: 23. november 2016

Om resultatet

Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2016

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Investigation of the Gate Bias Voltage Influence on Linearity Performance of the ET and AET 10 W GaN HEMT PAs

Bidragsytere

Dragan Gecan

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Morten Olavsbråten

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Karl M. gjertsen

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Karl M. Gjertsen
  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 3 av 3