Info
Meny
English
Logg inn
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Søk etter prosjekter, resultater og personer
Historikk
Cristin-resultat-ID:
1423461
Sist endret:
9. januar 2017, 14:09
Resultat
Faglig foredrag
2016
Development of a full bridge GaN HEMT converter for inductive power transfer application
Ole Christian Spro
Giuseppe Guidi
Ole-Morten Midtgård
og
Tore Marvin Undeland
Presentasjon
Presentasjon
Navn på arrangementet: 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
Sted: Fayetteville, Arkansas
Dato fra:
7. november 2016
Dato til:
9. november 2016
Om resultatet
Om resultatet
Faglig foredrag
Publiseringsår: 2016
Beskrivelse
Beskrivelse
Engelsk
Tittel
Development of a full bridge GaN HEMT converter for inductive power transfer application
Sammendrag
This paper presents the results of the development and use of a full bridge GaN high electron mobility transistor (HEMT) converter used in an inductive power transfer (IPT) application. Experimental results using a Si MOSFETs converter in an IPT setup has previously been reported. By using GaN HEMTs instead of Si MOSFETs, the converter efficiency can be increased over a broad range of operating points. Component selection regarding the gate isolation and low parasitics are discussed. The efficiency comparison between the Si and GaN converters shows that a GaN converter can outperform the Si in both soft and hard switching operation points if correctly designed.
Vis
fullstendig beskrivelse
Bidragsytere
Bidragsytere
Ole Christian Spro
Forfatter
ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Giuseppe Guidi
Forfatter
Ole-Morten Midtgård
Forfatter
ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
Tore Marvin Undeland
Forfatter
ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1
-
4
av
4