Cristin-resultat-ID: 1452128
Sist endret: 14. september 2018, 10:00
NVI-rapporteringsår: 2017
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2017

Dopant incorporation in Al0.9Ga0.1As0.06Sb0.94 grown by molecular beam epitaxy

Bidragsytere:
  • Saroj Kumar Patra
  • Thanh-Nam Tran
  • Lasse Vines
  • Ilia Kolevatov
  • Edouard Monakhov og
  • Bjørn-Ove Fimland

Tidsskrift

Journal of Crystal Growth
ISSN 0022-0248
e-ISSN 1873-5002
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2017
Publisert online: 2017
Trykket: 2017
Volum: 463
Sider: 116 - 122
Open Access

Lenker

original online (doi)

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85012977613

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Dopant incorporation in Al0.9Ga0.1As0.06Sb0.94 grown by molecular beam epitaxy

Bidragsytere

Saroj Kumar Patra

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Than-Nam Tran

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Thanh-Nam Tran
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Lasse Vines

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo

Ilia Kolevatov

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo

Eduard Monakhov

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Edouard Monakhov
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Halvlederfysikk ved Universitetet i Oslo
1 - 5 av 6 | Neste | Siste »