Cristin-resultat-ID: 1503792
Sist endret: 25. september 2018, 08:31
NVI-rapporteringsår: 2017
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2017

Characterization of B-implanted 3C-SiC for intermediate band solar cells

Bidragsytere:
  • Quanbao Ma
  • Patricia Carvalho
  • Augustinas Galeckas
  • Alexander Azarov
  • Sigurd Slettemark Hovden
  • Annett Thøgersen
  • mfl.

Tidsskrift

Materials Science Forum
ISSN 0255-5476
e-ISSN 1662-9752
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2017
Volum: 897
Sider: 299 - 302

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85020041299

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Characterization of B-implanted 3C-SiC for intermediate band solar cells

Sammendrag

Sublimation-grown 3C-SiC crystals were implanted with B ions at elevated temperature (400 °C) using multiple energies (100 to 575 keV) with a total dose of 1.3×1017 atoms/cm2 in order to form intermediate band (IB) in 3C-SiC. The samples were then annealed at 1400 °C for 60 min. An anomalous area in the center was observed in the PL emission pattern. The SIMS analysis indicated that the B concentration was the same both within and outside the anomalous area. The buried boron box-like concentration profile can reach ~3×1021 cm-3 in the plateau region. In the anomalous area a broad emission band (possible IB) emerges at around ~1.7-1.8 eV, which may be associated with B-precipitates having a sufficiently high density. Sublimation-grown 3C-SiC crystals were implanted with B ions at elevated temperature (400 °C) using multiple energies (100 to 575 keV) with a total dose of 1.3×1017 atoms/cm2 in order to form intermediate band (IB) in 3C-SiC. The samples were then annealed at 1400 °C for 60 min. An anomalous area in the center was observed in the PL emission pattern. The SIMS analysis indicated that the B concentration was the same both within and outside the anomalous area. The buried boron box-like concentration profile can reach ~3×1021 cm-3 in the plateau region. In the anomalous area a broad emission band (possible IB) emerges at around ~1.7-1.8 eV, which may be associated with B-precipitates having a sufficiently high density.

Bidragsytere

Quanbao Ma

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Patricia A. Carvalho

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Patricia Carvalho
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS
Aktiv cristin-person

Augustinas Galeckas

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo

Alexander Azarov

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Senter for materialvitenskap og nanoteknologi ved Universitetet i Oslo
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Sigurd Slettemark Hovden

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS
1 - 5 av 13 | Neste | Siste »