Cristin-resultat-ID: 1513401
Sist endret: 13. november 2017, 11:42
Resultat
Poster
2017

Driving of a GaN enhancement mode HEMT transistor with zener diode protection for high efficiency and low EMI

Bidragsytere:
  • Ole Christian Spro
  • Ole-Morten Midtgård
  • Tore Marvin Undeland
  • Supratim Basu og
  • Ibrahim Abed Abuishmais

Presentasjon

Navn på arrangementet: 2017 19th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'17 ECCE Europe)
Sted: Warzawa
Dato fra: 11. september 2017
Dato til: 14. september 2017

Arrangør:

Arrangørnavn: EPE

Om resultatet

Poster
Publiseringsår: 2017

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Driving of a GaN enhancement mode HEMT transistor with zener diode protection for high efficiency and low EMI

Bidragsytere

Ole Christian Spro

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Ole-Morten Midtgård

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Tore Marvin Undeland

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Supratim Basu

  • Tilknyttet:
    Forfatter

Ibrahim Abed Abuishmais

  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 5 av 5