Cristin-resultat-ID: 1729619
Sist endret: 26. september 2019, 14:50
Resultat
Poster
2018

Transition metal mediated growth of epitaxial graphene on SiC and intercalation of SiOx for radiation sensing application

Bidragsytere:
  • Rajesh Kumar Chellappan
  • Simon Phillip Cooil
  • Oystein Dahl og
  • Justin Wells

Presentasjon

Navn på arrangementet: ICESS2018
Sted: Shanghai
Dato fra: 5. oktober 2018
Dato til: 18. oktober 2018

Arrangør:

Arrangørnavn: Shanghai Institute of Tech

Om resultatet

Poster
Publiseringsår: 2018

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Transition metal mediated growth of epitaxial graphene on SiC and intercalation of SiOx for radiation sensing application

Bidragsytere

Rajesh Kumar Chellappan

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Simon Phillip Cooil

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Oystein Dahl

  • Tilknyttet:
    Forfatter

Justin William Wells

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Justin Wells
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 4 av 4