Cristin-resultat-ID: 1887663
Sist endret: 19. februar 2021, 11:57
NVI-rapporteringsår: 2020
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2020

Interfacial atomic structure and electrical activity of nano-facetted CSL grain boundaries in high-performance multi-crystalline silicon

Bidragsytere:
  • Maria Tsoutsouva
  • Per Erik Vullum
  • Krzysztof Jan Adamczyk
  • Marisa Di Sabatino Lundberg og
  • Gaute Stokkan

Tidsskrift

Journal of Applied Physics
ISSN 0021-8979
e-ISSN 1089-7550
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2020
Volum: 127
Hefte: 12
Artikkelnummer: 125109

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85082605856

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Interfacial atomic structure and electrical activity of nano-facetted CSL grain boundaries in high-performance multi-crystalline silicon

Sammendrag

The interfacial structure of coincidence site lattice grain boundaries in multi-crystalline silicon plays a decisive role in their electrical behavior as revealed by high-resolution (scanning) transmission electron microscopy investigations. Considering only the global misorientation of the adjacent grains can lead to a false correlation between the structural and electrical properties of a grain boundary. The grain boundary habit plane as well as local deviations in the orientation and misorientation that induce additional structural defects need to be analyzed. Indeed, a Σ9 {221} grain boundary, presenting a perfect coincidence and periodicity at the atomic scale, appears electrically non-active. However, a grain boundary also identified as Σ9 {221} at the mesoscale is found to be composed of nano-sized triangular structures involving Σ3 {111} and Σ3 {112} facets at the nano-scale. This leads to the formation of grain boundary kinks and triple junctions that induce additional structural defects and turn the overall grain boundary interface electrically active. The possible origin of such a grain boundary dissociation, as well as its impact on the electrical activity, is discussed.

Bidragsytere

Maria Tsoutsouva

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Per Erik Vullum

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Materialer og nanoteknologi ved SINTEF AS
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Krzysztof Jan Adamczyk

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Marisa Di Sabatino

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Marisa Di Sabatino Lundberg
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Gaute Stokkan

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS
1 - 5 av 5