Cristin-resultat-ID: 2139117
Sist endret: 19. februar 2024, 11:18
NVI-rapporteringsår: 2023
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2023

The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers

Bidragsytere:
  • Misagh Ghezellou
  • Piyush Kumar
  • Marianne E. Bathen
  • Robert Michael Karsthof
  • Einar Ö. Sveinbjörnsson
  • Ulrike Grossner
  • mfl.

Tidsskrift

APL Materials
ISSN 2166-532X
e-ISSN 2166-532X
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2023
Volum: 11
Hefte: 3
Open Access

Lenker

original online (doi)

Institusjonsarkiv

hdl.handle.net/10852/109782

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85150362902

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers

Bidragsytere

Misagh Ghezellou

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Linköpings universitet

Piyush Kumar

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Eidgenössische Technische Hochschule Zürich

Marianne E. Bathen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Sveits

Robert Michael Karsthof

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Fysisk institutt ved Universitetet i Oslo

Einar Ö. Sveinbjörnsson

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Linköpings universitet
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Island
1 - 5 av 9 | Neste | Siste »