Cristin-resultat-ID: 2210908
Sist endret: 12. januar 2024, 14:09
NVI-rapporteringsår: 2023
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2023

High-Rate Epitaxial Growth of Silicon Using Electron Beam Evaporation at High Temperatures

Bidragsytere:
  • Marit Synnøve Sæverud Stange
  • Tor Olav Løveng Sunde
  • Runar Plunnecke Dahl-Hansen
  • Kalpna Rajput
  • Joachim Seland Graff
  • Branson Delano Belle
  • mfl.

Tidsskrift

Coatings
ISSN 2079-6412
e-ISSN 2079-6412
NVI-nivå 1

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2023
Publisert online: 2023
Volum: 13
Hefte: 12
Artikkelnummer: 2030

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-85180733704

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

High-Rate Epitaxial Growth of Silicon Using Electron Beam Evaporation at High Temperatures

Bidragsytere

Marit Synnøve Sæverud Stange

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS

Tor Olav Løveng Sunde

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS

Runar Plunnecke Dahl-Hansen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Smart Sensors and Microsystems ved SINTEF AS

Kalpna Rajput

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS

Joachim Seland Graff

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Bærekraftig energiteknologi ved SINTEF AS
1 - 5 av 7 | Neste | Siste »