Cristin-resultat-ID: 2231300
Sist endret: 20. januar 2024, 19:12
Resultat
Poster
2023

GaN nanowires grown on Si by plasma-assisted molecular beam epitaxy using graphene as buffer

Bidragsytere:
  • Yang Li
  • Tron Arne Nilsen
  • Gulzhan Baigarinova
  • Dishiti Gupta
  • Dingding Ren
  • Bjørn Ove Myking Fimland
  • mfl.

Presentasjon

Navn på arrangementet: 14th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
Sted: Fukuoka
Dato fra: 12. november 2023
Dato til: 17. november 2023

Om resultatet

Poster
Publiseringsår: 2023

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

GaN nanowires grown on Si by plasma-assisted molecular beam epitaxy using graphene as buffer

Bidragsytere

Yang Li

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Tron Arne Nilsen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Gulzhan Baigarinova

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Dishiti Gupta

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Dingding Ren

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 5 av 7 | Neste | Siste »