Cristin-resultat-ID: 225185
Sist endret: 9. januar 2008, 09:50
Resultat
Vitenskapelig foredrag
2007

Active Bias Circuit used for Linearity Improvement in an HBT Power Amplifier

Bidragsytere:
  • Marius Ubostad og
  • Morten Olavsbråten

Presentasjon

Navn på arrangementet: IEEE Radio and Wireless Symposium
Sted: Long Beach, California
Dato fra: 9. januar 2007
Dato til: 11. januar 2007

Arrangør:

Arrangørnavn: IEEE

Om resultatet

Vitenskapelig foredrag
Publiseringsår: 2007

Klassifisering

Vitenskapsdisipliner

Elektronikk

Emneord

Mikrobølgeteknikk • MMIC konstruksjon • Radioteknikk • Analog Kretsteknikk

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Active Bias Circuit used for Linearity Improvement in an HBT Power Amplifier

Sammendrag

This work presents a method for linearising a Power Amplifier by adjusting the operating point as a function of input power. The goal is to achieve a linear response for higher output power by decreasing the gain for lower power levels and keep constant gain at higher power levels by increasing the base current. A very simple circuit utilizes that the base-emitter voltage drops at high output levels and boosts the base current at these levels. One amplifier is optimized for minimum gain ripple and output power at P1-dB is increased by 1,7 dB. The other is optimized for minimum phase compression and output power at P1-dB is increased by 2,2 dB. Both amplifiers are compared to a class A amplifier. Third order IMD products are smaller for output power larger than 23,5 dBm for the case of minimum gain ripple, while the IMD performance is better for all output powers for the case of minimum phase compression. Both amplifiers achieve higher efficiency than the class A amplifier, especially at low output power.

Bidragsytere

Marius Johansen Ubostad

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Marius Ubostad
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Morten Olavsbråten

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 2 av 2