Cristin-resultat-ID: 2257588
Sist endret: 7. juni 2024, 11:48
NVI-rapporteringsår: 2024
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2024

Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC MOSFETs

Bidragsytere:
  • Gard Lyng Rødal og
  • Dimosthenis Peftitsis

Tidsskrift

IEEE transactions on power electronics
ISSN 0885-8993
e-ISSN 1941-0107
NVI-nivå 2
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2024

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC MOSFETs

Bidragsytere

Gard Lyng Rødal

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Dimosthenis Peftitsis

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektrisk energi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 2 av 2