Historikk

Cristin-resultat-ID: 347148

Sist endret: 18. januar 2012, 10:23

NVI-rapporteringsår: 2011

Resultat

Vitenskapelig artikkel

2011

Effects of laser wavelength and fluence in pulsed laser deposition of Ge films

Seong Shan Yap
Wee Ong Siew
Cecile Ladam
Turid Worren Reenaas og
Teck Yong Tou

Tidsskrift Tidsskrift

AIP Conference Proceedings

ISSN 0094-243X
e-ISSN 1551-7616

NVI-nivå 1

Finn i kanalregisteret

Om resultatet Om resultatet

Vitenskapelig artikkel

Publiseringsår: 2011

Volum: 1328

Hefte: 1

Sider: 305 - 307

Lenker Lenker

original online (doi)

https://doi.org/10.1063/1.3573761

Importkilder Importkilder

Isi-ID: 000291564500085

Beskrivelse Beskrivelse

Engelsk

Tittel

Effects of laser wavelength and fluence in pulsed laser deposition of Ge films

Sammendrag

Nanosecond lasers with ultra‐violet, visible and infrared wavelengths: KrF (248 nm, 25 ns) and Nd:YAG (1064 nm, 532 nm, 355 nm, 5 ns) were used to ablate polycrystalline Ge target and deposit Ge films in vacuum (

Bidragsytere Bidragsytere

Seong Shan Yap

Forfatter
ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Wee Ong Siew

Forfatter
ved Malaysia

Cecile Ladam

Forfatter
ved Materialer og nanoteknologi ved SINTEF AS

Turid Dory Reenaas

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Turid Worren Reenaas

Forfatter
ved Institutt for fysikk ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Teck Yong Tou

Forfatter
ved Malaysia

1 - 5 av 5