Cristin-resultat-ID: 370849
Sist endret: 26. september 2007, 10:56
NVI-rapporteringsår: 2007
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2007

Spatially resolved modeling of the combined effect of dislocations and grain boundaries on minority carrier lifetime in multicrystalline silicon

Bidragsytere:
  • Gaute Stokkan
  • S. Riepe
  • Otto Lohne og
  • W. Warta

Tidsskrift

Journal of Applied Physics
ISSN 0021-8979
e-ISSN 1089-7550
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2007
Volum: 101
Sider: 053515-1 - 053515-9

Lenker

original online (doi)

Importkilder

Scopus-ID: 2-s2.0-33947310609
Isi-ID: 000244945400041

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Spatially resolved modeling of the combined effect of dislocations and grain boundaries on minority carrier lifetime in multicrystalline silicon

Bidragsytere

Gaute Stokkan

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

S. Riepe

  • Tilknyttet:
    Forfatter

Otto Lohne

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for materialteknologi ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

W. Warta

  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 4 av 4