Cristin-resultat-ID: 378983
Sist endret: 21. januar 2015, 15:27
NVI-rapporteringsår: 2006
Resultat
Vitenskapelig artikkel
2006

The effect of growth interruptions at the interfaces in epitaxially grown GaInAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-wells studied with high-resolution x-ray diffraction and photoluminescence

Bidragsytere:
  • Espen Selvig
  • Geir Myrvågnes
  • Renato Bugge
  • R. Haakenaasen og
  • Bjørn-Ove Fimland

Tidsskrift

Physica scripta. Topical Issues
ISSN 0281-1847
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 2006
Volum: 126
Sider: 110 - 114

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

The effect of growth interruptions at the interfaces in epitaxially grown GaInAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-wells studied with high-resolution x-ray diffraction and photoluminescence

Bidragsytere

Espen Selvig

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Forsvarets forskningsinstitutt

Geir Myrvågnes

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Renato Bugge

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

R. Haakenaasen

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Forsvarets forskningsinstitutt

Bjørn Ove Myking Fimland

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Bjørn-Ove Fimland
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 5 av 5