Cristin-resultat-ID: 405739
Sist endret: 21. januar 2015, 15:27
Resultat
Vitenskapelig artikkel
1990

Removal of the Surface Contamination Layer from CF4 Plasma Etched GaAs(001) Substrate by Thermal Annealing in Hydrogen

Bidragsytere:
  • Ralph W. Bernstein og
  • Jostein Grepstad

Tidsskrift

Journal of Applied Physics
ISSN 0021-8979
e-ISSN 1089-7550
NVI-nivå 1
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 1990
Volum: 68
Sider: 4811 - 4815

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Removal of the Surface Contamination Layer from CF4 Plasma Etched GaAs(001) Substrate by Thermal Annealing in Hydrogen

Bidragsytere

Ralph William Bernstein

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Ralph W. Bernstein
  • Tilknyttet:
    Forfatter

Jostein Kvaal Grepstad

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Jostein Grepstad
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
1 - 2 av 2