Cristin-resultat-ID: 413582
Sist endret: 4. oktober 2007, 19:59
Resultat
Vitenskapelig artikkel
1999

Patterned regrowth of n-GaAs by molecular beam epitaxy using arsenic passivation

Bidragsytere:
  • Christian Heinlein
  • Bjørn-Ove Fimland
  • Jostein Grepstad og
  • Torunn Berge

Tidsskrift

Journal of Vacuum Science & Technology B
ISSN 1071-1023
e-ISSN 1520-8567
NVI-nivå 0
Finn i kanalregisteret

Om resultatet

Vitenskapelig artikkel
Publiseringsår: 1999
Volum: 17
Sider: 217 - 223

Importkilder

Bibsys-ID: r99021388

Beskrivelse Beskrivelse

Tittel

Patterned regrowth of n-GaAs by molecular beam epitaxy using arsenic passivation

Bidragsytere

Christian Heinlein

  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Bjørn Ove Myking Fimland

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Bjørn-Ove Fimland
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Jostein Kvaal Grepstad

Bidragsyterens navn vises på dette resultatet som Jostein Grepstad
  • Tilknyttet:
    Forfatter
    ved Institutt for elektroniske systemer ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet

Torunn Berge

  • Tilknyttet:
    Forfatter
1 - 4 av 4